三星半导体印度研究院 (SSIR) 宣布与印度科学研究所 (IISc) 建立新的合作伙伴关系，以促进片上静电放电 (ESD) 保护领域的研发。该合作伙伴关系旨在构建尖端的ESD器件解决方案，以保护先进集成电路(IC)和片上系统(SoC)产品中的超高速串行接口，周三的一份联合声明称。

相关研究将由IISc电子系统工程系(DESE)的Mayank Shrivastava教授小组进行。这项研究产生的解决方案将部署在三星的高级工艺节点中。

IC和SoC对于我们周围看到的几乎任何系统都是必不可少的，从小到大，但它们对ESD故障非常敏感，尤其是那些使用先进的纳米级CMOS(互补金属氧化物半导体)技术开发的故障。

有人指出，大多数IC芯片故障和现场返回都归因于ESD故障。这也是罕见的专业知识，行业持有ESD保护器件和接口概念设计艺术引领市场。

“因此，用于在低功耗和高速下运行的高度可靠接口和SoC的ESD技术研发是半导体创新工作不可或缺的一部分。IISc是世界领先的ESD设备研究中为数不多的研究所之一，“声明说。

该研究协议由班加罗尔三星半导体印度研究公司的CVP&MD，Balajee Sowrirajan和IISc主任Govindan Rangarajan教授交换，三星和IISc的代表在场。