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据传三星和 SK Hynix 将通过 HBM4 DRAM 标准的出现提升 AI 加速器性能

导读 与我们看到的与消费类显卡集成的 GDDR 解决方案相比,HBM DRAM 仍然昂贵,但价格在很大程度上证明了性能提升的合理性。这就是HBM暂时配...

与我们看到的与消费类显卡集成的 GDDR 解决方案相比,HBM DRAM 仍然昂贵,但价格在很大程度上证明了性能提升的合理性。这就是HBM暂时配备HPC和AI加速器的原因。这也是为什么 Nvidia 最新的 H100 卡由于配备了 HMB3E DRAM 而价格如此之高的原因。接近 DigiTimes 的韩国消息人士称,随着 HBM4 标准的推出,这种情况可能很快就会改变,该标准使内存总线宽度比以前的版本增加了一倍。

据 DigiTimes 报道,HBM4 将是 HBM DRAM 历史上最重要的升级,因为它将堆栈总线宽度从 1024 位增加到 2048 位。当前的 HBM3 标准拥有每芯片约 9 GT/s 的性能,从而为所有堆栈提供 1.15 TB/s 的峰值带宽。如果 HBM4 标准保持相同数量的堆栈,峰值带宽基本上可以达到 2.30 TB/s。

以Nvidia H100为例。该卡具有六个 1024 位 HBM3E 已知良好堆栈芯片 (KGSD),组合在一起形成 6144 位接口。由于担心制造具有超过 1,024 个硅通孔的内存堆栈的难度增加,三星和SK 海力士需要证明他们确实可以在将总线宽度增加到 2048 位的同时保持相同数量的堆栈,尽管声称接近 - 100% 的收益率。

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