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SK海力士介绍了其未来十年的存储产品路线图，并高兴地宣布了该公司称为4D NAND的计划。在继续增加方程式中的时间维度或以第4空间维度使物理学发生了革命之前，我们已经明确指出事实并非如此。

要解释新技术，您首先需要记住什么是3D NAND?在基本的解释中，该技术包括垂直堆叠存储单元以总体上减少产品的空间和成本。为此，三星和西部数据等公司使用一种称为电荷陷阱闪存(CTF)的体系结构，其中使用硝酸硅来存储电子产品。最后，最大的优势是降低了存储器的最终生产价格。

4D NAND的主要创新是一个新的CTF项目，该项目将嵌入到存储单元中的外围电路放置在存储单元中，而不是像三星和WD那样放置在存储单元中。像上面提到的所有技术一样，减少了产品的空间需求，因此降低了生产成本。

根据Tom的硬件方面，一个非常重要的细节是该技术不一定是新颖的。英特尔和美光科技从未对3D闪存做过这样的事情，因为它们被称为Array(CuA)下的CMOS。三星还表明，它计划以与将来类似的方式使用CuA项目。

尽管有Disso，但Hynix的路线图仍然令人印象深刻。该公司计划在2018年底之前推出其第一代4D NAND存储器。他们还正在开发QLC 4D NAND存储器，预计将于2019年下半年发布。

SK Hynix预计将来会实现4D NAND 500 GB内存，但该公司未指定实现此日期的日期。