Kioxia 和 Western Digital Corp. (WD) 展示了他们最新的 218 层3D NAND 闪存技术，该技术可显着提升性能。新的 3D 闪存技术将更大的容量和可靠性与性能提升相结合。这些公司还尽最大努力使新技术在成本上更令人满意。

Kioxia 和 WD 创造了新的 218 层 3D NAND，目前最快的闪存

Kioxia 和 WD 利用先进的缩放和晶圆键合技术，使它们能够出色地满足跨多个细分市场的指数级数据增长需求。两家公司通过引入几个独特的流程和架构来降低成本，促进持续的横向扩展进步。

垂直和横向扩展可在更小的芯片面积内提供更高的容量水平，所需的层数更少，对客户而言更具吸引力的成本。该技术类似于长江存储的第三代Xtacking技术。YMTC Xtacking 3.0 是该公司的 3D NAND 架构，涉及将 CMOS 晶圆与存储单元晶圆键合。Xtacking 3.0 引入了用于存储单元晶圆的背面源极连接 (BSSC)，从而简化了工艺并降低了成本。

新的 3D 闪存展示了我们与 Kioxia 强有力的合作伙伴关系以及我们共同的创新领导地位所带来的好处。通过使用一个共同的研发路线图和对研发的持续投资，我们已经能够提前将这一基础技术产品化，并提供高性能、资本高效的解决方案。

— Alper Ilkbahar，Western Digital 技术与战略高级副总裁