SK 海力士公司今天宣布，其采用第 4 代 10 纳米工艺技术的 1 纳米 DDR5 服务器内存已在几天前推出的英特尔第 4 代至强可扩展 CPU上得到验证。该验证在业界尚属首次。SK 海力士的 DDR5 使用 EUV 或极紫外光刻工艺。

SK 海力士与英特尔合作，在第 4 代至强可扩展处理器上接受 1anm DDR5 DRAM 的初步验证

由于对更高性能内存模块的预期需求增加，新的英特尔第 4 代至强可扩展 CPU 有望成为行业的下一步，因此行业专家认为新一代内存将满足消费者的需求，并将成为行业标准在更短的时间内。

英特尔首次对其支持 DDR5 的最新处理器进行 1anm DDR5 兼容性验证具有里程碑意义。我们将通过已经量产的DDR5积极应对不断增长的服务器市场，寻求半导体存储器行业的快速转变。

— SK 海力士

此外，SK 海力士和英特尔还发布了一份涵盖 DDR5 内存的白皮书，展示了该技术的品质和 1anm DDR5 的记录性能。

在推出第四代英特尔至强可扩展处理器后，该公司与众多客户密切合作以更广泛地采用 DDR5，并将加强其在不断增长的服务器市场中的领导地位。

— Sungsoo Ryu，SK 海力士 DRAM 产品规划主管