台积电周四在其位于南科学园区 (STSP) 的 Fab 18 举行了“量产和产能扩张仪式”。Fab 18 是使用其 N3(3 纳米级)工艺技术生产芯片的地方。该代工厂表示，其量产的 3 纳米芯片的良率很高，其 N3 技术系列将在未来许多年内为客户服务。

据报道，台积电于 9 月初在其 N3 制造工艺上启动了大批量制造 (HVM)。目前第一批芯片已经生产和测试，所以正式宣布量产一般是为了表明晶圆代工厂的3nm级工艺适合量产，芯片良率“好”。对于台积电而言，N3 是一个非常重要的工艺技术系列，因为它将是代工厂最后一个基于 FinFET 晶体管的通用节点，并且将为其客户提供至少 10 年的服务。事实上，台积电表示，N3 及其后续产品将用于构建 HVM 的“五年内市值达 1.5 万亿美元的产品”。

与台积电的 N5 制造技术相比，该公司的 N3 生产节点有望提供 10% 至 15% 的性能提升(在相同的功率和晶体管数量下)，降低 25% 至 30% 的功耗(在相同的频率和复杂性下) , 并将逻辑密度提高约 1.6 倍。N3几乎不提供任何 SRAM 缩放，因为它具有 0.0199 µm^² 的 SRAM 位单元尺寸，与 N5 的 0.021 µm^² SRAM 位单元相比仅小约 5%。

标题单元格 - 第 0 列	N3E 与 N5	N3 与 N5
相同功率下的速度提升	+18%	+10% ~ 15%
功率降低 @ 相同速度	-34%	-25% ~ -30%
逻辑密度	1.7倍	1.6倍
虚拟机启动	2023 年第二季度/第三季度	2022 下半年