三星周三 表示(在新标签页中打开) 它开发了新的 16Gb DDR5 内存芯片，数据传输速率高达 7200 MT/s。新的 IC 将于明年使用该公司最新的 12 纳米 DRAM 工艺技术量产。目前，该公司正在与 AMD 一起验证其最新的内存设备。

除了速度快之外，据说三星使用其 12 纳米节点制造的 16Gb DDR5 内存芯片的功耗比前代产品低 23%(尽管尚不清楚速度分档)，并且晶圆生产率提高了 20%，这实质上意味着与前代产品相比，它们的体积缩小了约 20%，因此生产成本可能更低。

增加的位密度和更高的默认数据传输速率意味着三星的 12 纳米 DRAM 工艺技术将使该公司能够制造更高密度的内存 IC 以及未来速度高于 7200 MT/s 的设备。

额定电压下额定数据传输速度高达 7200 MT/s 的内存芯片有望显着提高能够利用它们的下一代 PC 的性能。此外，这些 IC 有望为发烧友进一步突破 DDR5 超频的界限，因此我们应该期待 2023 年及以后更快的 DDR5 模块。同时，值得注意的是，目前该公司正在与 AMD 一起验证其最新的 DDR5-7200 芯片，这可能暗示(尽管这是一种猜测)CPU 设计者计划支持这个速度仓，而不是迟些。

“创新通常需要与行业合作伙伴密切合作，以推动技术的发展，”AMD 高级副总裁、企业研究员兼客户、计算和图形首席技术官 Joe Macri 说。“我们很高兴再次与三星合作，特别是推出在‘Zen’平台上经过优化和验证的 DDR5 内存产品。”

要获得今天具有 7200 MT/s 数据传输速率的内存子系统，需要使用为通常在高于标称电压下运行的超频者创建的内存模块或 LPDDR5X 内存芯片。在前一种情况下，内存子系统会耗电且昂贵，而在后一种情况下，它会很昂贵。具有标称电压的传统 DDR5-7200 内存芯片允许以更便宜的方式增加内存带宽。