三星宣布开发其下一代 12 纳米级 DDR5 DRAM，该 DRAM 能够提供高达 7.2 Gbps 的引脚速度。

三星 12 纳米 DDR5 DRAM 2023 年开始量产：7.2 Gbps 引脚速度，功耗降低 23%

新闻稿：先进内存技术的全球领导者三星电子有限公司今天宣布开发其 16 吉比特 (Gb) DDR5 DRAM，该内存采用业界首个 12 纳米 (nm) 级工艺技术制造，作为以及完成与 AMD 兼容性的产品评估。

三星电子 DRAM 产品与技术执行副总裁 Jooyoung Lee 表示：“我们的 12 纳米范围 DRAM 将成为推动 DDR5 DRAM 在市场范围内采用的关键推动力。” “凭借卓越的性能和能效，我们希望我们的新 DRAM 能够成为下一代计算、数据中心和人工智能驱动系统等领域更可持续运营的基础。”

“创新通常需要与行业合作伙伴密切合作，以推动技术的发展，”AMD 高级副总裁、企业研究员兼客户、计算和图形首席技术官 Joe Macri 说。“我们很高兴再次与三星合作，特别是推出在‘Zen’平台上经过优化和验证的 DDR5 内存产品。”