高通的下一代Snapdragon 8 Gen 2移动 AP 预计将在其前身之前到达——确切地说，是在 11 月 15 日至 17 日之间。尽管距离发布还有几周的时间，但它尚未出现在任何基准测试平台上。到目前为止，我们对 SoC 的了解都来自分散的泄漏。微博的数字聊天站一直是可靠的来源，现在，泄密者掌握了有关芯片组的更多信息。

Qualcomm Snapdragon 8 Gen 2 可以将其“Prime”(Cortex-X3 )CPU 内核推至 3.4-3.5 GHz，与苹果新发布的A16 Bionic相提并论。SoC 可能有两种变体，一种具有更高的升压时钟。然而，该声明可能指的是其继任者 Snapdragon 8+ Gen 2(暂定)，因为同时推出两种不同规格的产品毫无意义，尤其是在移动 AP 领域。

众所周知， ARM 的 Cortex-X CPU 内核自问世以来就非常耗电。这对于 Qualcomm Snapdragon 8 Gen 2 来说可能会很麻烦，因为将 CPU 推到 3.5 GHz 将需要一些非常强大的冷却机制。之前的报道还表明，高通希望在这一代中专注于效率，因此可以重新调整上述时钟速度以实现这一目标。

Digital Chat Station 补充说，即使是联发科也将其所有的鸡蛋都放在了 CPU 中，这表明Dimensity 9000 的继任者也可能具有超快的升压时钟。联发科的祸根一直是其 ARM 制造的 GPU。它可能会阻碍公司再发展一代人。高通已经为Adreno 730 的近亲进行了重大改进。

虽然这些改进将受到粉丝和 OEM 的一致好评，但在这一领域击败 Apple 并非易事，尤其是在单核性能方面。高通公司可以采取苹果公司在 A16 Bionic 上的悠闲方式来缩小其旗舰产品之间不断扩大的差距。Apple 一直可以使用尖端的制造节点。这一优势已不复存在，因为 Snapdragon 8 Gen 2 和 A16 Bionic 均采用相同的 TSMC N4 工艺制造。