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三星推出基于 MRAM 的内存计算设备

导读内存计算已成为实现下一代低功耗人工智能处理的最有前途的技术之一。研究人员使用大多数可用类型的非易失性存储器测试了内存计算技术。然而...

内存计算已成为实现下一代低功耗人工智能处理的最有前途的技术之一。研究人员使用大多数可用类型的非易失性存储器测试了内存计算技术。然而,用于此目的的可能最具互补性的存储器技术 MRAM(磁阻随机存取存储器)由于其低电阻而无法实现。三星的研究人员现在表示,他们已经使用基于 MRAM 单元的新型 64 × 64 交叉开关阵列成功演示了用于内存计算的 MRAM。根据Nature 周三发表的论文“用于内存计算的磁阻存储器件的交叉开关阵列” ,三星研究团队的关键架构创新是测试基于 MRAM 单元的 64 × 64 交叉开关阵列“克服了使用电阻求和进行模拟乘法累加运算的架构的低电阻问题。” 三星新技术的演示使用了这种 64 x 64 阵列,并在 28nm CMOS 技术中集成了读出电子设备。

三星高级技术研究院 (SAIT) 的团队与三星电子代工业务和半导体研发中心密切合作,对新的 MRAM 解决方案进行了测试,并检查了其 AI 计算性能。在测试中,新设备在人工智能计算方面表现良好,手写数字分类准确率达到98%,场景人脸检测准确率达到93%。

MRAM 对内存计算具有一些非常有吸引力的特性,即其非易失性、运行速度、耐用性和大规模生产的经济性。然而,三星科学家指出,以前使用 MRAM 是不切实际的,因为它的低电阻与架构不匹配。必须强调的是,MRAM 技术绝不是新事物,Tom's Hardware在过去 15 年中多次讨论了它的特性和应用,实际的 MRAM 开发始于 1998 年。

这种新的 MRAM 技术应用不仅可以用于内存计算,而且科学家们还相信它可以作为下载生物神经元网络的平台。三星研究人员评论说:“内存计算与大脑相似,因为在大脑中,计算也发生在生物记忆或突触网络中,即神经元相互接触的点。”

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