对于内存模块，通常需要在性能和容量之间进行权衡。但 SK 海力士和英特尔周四推出的新颖 MCR DIMM 概念有望结合极端的性能和容量。该内存制造商承诺其 MCR DIMM 将实现超过 8000 MT/s 的数据传输速率，同时提供前所未有的容量。

SK 海力士的多路复用器组合列 (MCR) DIMM 是双列内存模块，可使用特殊缓冲区使两个列同时工作。通常情况下，具有两个物理列的模块就像一个模块一样工作，因此当主机 CPU(或内存控制器)从这样的模块取数据时，它一次只能取 字节的数据。但是由 SK hynix、Intel 和 Renesas 开发的缓冲区允许两个物理列像两个模块一样并行工作，从而通过同时从两个列获取 128 字节的数据来使性能翻倍。

MCR 技术的神奇之处在于双列模块的两个物理列(即内存芯片)继续以或多或少的“标准”时钟运行，从而简化了构建高容量模块的过程。同时，瑞萨多路复用器缓冲器从两个模块中获取 128 字节的数据，并以 8000 MT/s 或更高的数据传输速率与主机 CPU 内存控制器一起工作，再次简化了高速模块的构建。

所有缓冲器都会增加延迟并消耗功率，因此这些都是必须在系统和模块级别上解决的问题。同时，要使MCR DIMM 顺利工作，该技术必须得到主机CPU 的支持。因此，不可能将 MCR DIMM 扔到现有机器中以期获得更高的性能和更高的容量。

SK 海力士 DRAM 产品规划负责人 Sungsoo Ryu 表示：“对于 MCR DIMM 的稳定性能，模块内外的数据缓冲器和处理器之间的顺畅交互至关重要。”

英特尔表示其未来的至强处理器将支持 MCR DIMM，但并未透露哪些 CPU 将支持该技术或何时支持。尽管据报道该公司已经在这项技术上工作了一段时间。因此，人们希望已经奠定了基础。