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三星在先进的 14 纳米 EUV 节点上开始量产 DDR5 内存

最佳答案 三星已正式开始量产其下一代 DDR5 内存,该内存将采用该公司的 14nm EUV 工艺节点制造。该内存将针对 HPC 和 AI 服务器,提供两倍...

三星已正式开始量产其下一代 DDR5 内存,该内存将采用该公司的 14nm EUV 工艺节点制造。该内存将针对 HPC 和 AI 服务器,提供两倍于 DDR4 内存的性能。

三星 DDR5 内存量产:14 纳米 EUV 工艺节点、7200 Mbps 速度和 768 GB 容量

据三星称,新的工艺节点将帮助三星的 14nm DDR5 内存实现前所未有的整体速度提升。目前,14nm EUV 工艺将速度提升至 7.2 Gbps,是 DDR4 (3.2 Gbps) 速度的两倍多。该公司告诉我们,它将通过基于24Gb DRAM IC 的更密集选项将其 14 纳米 DDR5 内存产品组合扩展到数据中心、超级计算机和企业服务器应用程序。这将使该公司能够将其 DDR5 内存从 512 GB - 1 TB 容量扩展到 768 GB 和 1.5 TB Dram 容量。

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三星电子今天宣布,它已开始量产业界最小的基于极紫外 (EUV) 技术的 14 纳米 (nm) DRAM。继去年 3 月公司出货业界首款 EUV DRAM 后,三星已将 EUV 层数增加到 5 层,以为其 DDR5 解决方案提供当今最好、最先进的 DRAM 工艺。

三星全新五层 EUV 工艺可实现业界最高的 DRAM 位密度,将生产力提高约 20%

三星电子高级副总裁兼 DRAM 产品与技术负责人 Jooyoung Lee 表示:“近三年来,我们通过开拓关键的图案化技术创新引领了 DRAM 市场。” “今天,三星正在通过多层 EUV 设定另一个技术里程碑,该技术实现了 14 纳米的极端小型化——这是传统氟化氩 (ArF) 工艺无法实现的壮举。在这一进步的基础上,我们将通过充分满足 5G、AI 和 Metaverse 的数据驱动世界中对更高性能和容量的需求,继续提供最具差异化的内存解决方案。

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